TPS1H200AQDGNRQ1 ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ ICs - ਪਾਵਰ ਡਿਸਟ੍ਰੀਬਿਊਸ਼ਨ 40-V, 200-m, 1-ch ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਸਮਾਰਟ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ ਵਿਵਸਥਿਤ ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ 8-HVSSOP -40 ਤੋਂ 125 ਦੇ ਨਾਲ
♠ ਉਤਪਾਦ ਵਰਣਨ
| ਉਤਪਾਦ ਗੁਣ | ਗੁਣ ਮੁੱਲ |
| ਨਿਰਮਾਤਾ: | ਟੈਕਸਾਸ ਯੰਤਰ |
| ਉਤਪਾਦ ਸ਼੍ਰੇਣੀ: | ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ ICs - ਪਾਵਰ ਵੰਡ |
| RoHS: | ਵੇਰਵੇ |
| ਕਿਸਮ: | ਹਾਈ ਸਾਈਡ |
| ਆਉਟਪੁੱਟ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: | 1 ਆਉਟਪੁੱਟ |
| ਆਊਟਪੁੱਟ ਮੌਜੂਦਾ: | 2.5 ਏ |
| ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ: | 3.5 ਏ ਤੋਂ 4.8 ਏ |
| ਵਿਰੋਧ 'ਤੇ - ਅਧਿਕਤਮ: | 400 mOhms |
| ਸਮੇਂ 'ਤੇ - ਅਧਿਕਤਮ: | 90 ਸਾਨੂੰ |
| ਬੰਦ ਸਮਾਂ - ਅਧਿਕਤਮ: | 90 ਸਾਨੂੰ |
| ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ: | 3.4 V ਤੋਂ 40 V |
| ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | - 40 ਸੀ |
| ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | + 125 ਸੀ |
| ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਸ਼ੈਲੀ: | SMD/SMT |
| ਪੈਕੇਜ/ਕੇਸ: | MSOP-ਪਾਵਰਪੈਡ-8 |
| ਲੜੀ: | TPS1H200A-Q1 |
| ਯੋਗਤਾ: | AEC-Q100 |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਰੀਲ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਟੇਪ ਕੱਟੋ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | MouseReel |
| ਬ੍ਰਾਂਡ: | ਟੈਕਸਾਸ ਯੰਤਰ |
| ਵਿਕਾਸ ਕਿੱਟ: | TPS1H200EVM |
| ਨਮੀ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ: | ਹਾਂ |
| ਉਤਪਾਦ: | ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ |
| ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਕਿਸਮ: | ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ ICs - ਪਾਵਰ ਵੰਡ |
| ਫੈਕਟਰੀ ਪੈਕ ਮਾਤਰਾ: | 2500 |
| ਉਪਸ਼੍ਰੇਣੀ: | ICs ਬਦਲੋ |
| ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ - ਅਧਿਕਤਮ: | 40 ਵੀ |
| ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ - ਨਿਊਨਤਮ: | 3.4 ਵੀ |
| ਯੂਨਿਟ ਭਾਰ: | 26.400 ਮਿਲੀਗ੍ਰਾਮ |
♠ TPS1H200A-Q1 40-V 200-mΩ ਸਿੰਗਲ-ਚੈਨਲ ਸਮਾਰਟ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ
TPS1H200A-Q1 ਡਿਵਾਈਸ ਇੱਕ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ 200-mΩ NMOS ਪਾਵਰ FET ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਸਿੰਗਲ-ਚੈਨਲ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ ਹੈ।
ਇੱਕ ਵਿਵਸਥਿਤ ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ ਇਨਰਸ਼ ਜਾਂ ਓਵਰਲੋਡ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਸੀਮਿਤ ਕਰਕੇ ਸਿਸਟਮ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ ਦੀ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਓਵਰਲੋਡ ਸੁਰੱਖਿਆ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਫਰੰਟ-ਸਟੇਜ ਪਾਵਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨੂੰ ਸਰਲ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ ਸੰਰਚਨਾਯੋਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲਤਾ, ਲਾਗਤ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਲਚਕਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।
ਡਿਵਾਈਸ ਡਿਜੀਟਲ ਸਥਿਤੀ ਆਉਟਪੁੱਟ ਦੇ ਨਾਲ ਪੂਰੀ ਡਾਇਗਨੌਸਟਿਕਸ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਓਪਨ-ਲੋਡ ਖੋਜ ਚਾਲੂ ਅਤੇ ਬੰਦ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ ਉਪਲਬਧ ਹੈ।ਡਿਵਾਈਸ MCU ਦੇ ਨਾਲ ਜਾਂ ਬਿਨਾਂ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਸਟੈਂਡ-ਅਲੋਨ ਮੋਡ ਅਲੱਗ-ਥਲੱਗ ਸਿਸਟਮਾਂ ਨੂੰ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਦੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।
• ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਯੋਗ
• AEC-Q100 ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਨਤੀਜਿਆਂ ਨਾਲ ਯੋਗ ਹੈ:
- ਡਿਵਾਈਸ ਤਾਪਮਾਨ ਗ੍ਰੇਡ 1: -40°C ਤੋਂ +125°C ਅੰਬੀਨਟ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ
- ਡਿਵਾਈਸ HBM ESD ਵਰਗੀਕਰਣ ਪੱਧਰ H2
- ਡਿਵਾਈਸ CDM ESD ਵਰਗੀਕਰਣ ਪੱਧਰ C4B
• ਕਾਰਜਾਤਮਕ ਸੁਰੱਖਿਆ-ਸਮਰੱਥ
- ਕਾਰਜਾਤਮਕ ਸੁਰੱਖਿਆ ਸਿਸਟਮ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਸਹਾਇਤਾ ਲਈ ਉਪਲਬਧ ਦਸਤਾਵੇਜ਼
• ਸਿੰਗਲ-ਚੈਨਲ 200-mω ਸਮਾਰਟ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ
• ਵਾਈਡ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ: 3.4 V ਤੋਂ 40 V
• ਅਲਟਰਾ-ਲੋ ਸਟੈਂਡਬਾਏ ਕਰੰਟ, <500 nA
• ਬਾਹਰੀ ਰੋਧਕ ਦੇ ਨਾਲ ਵਿਵਸਥਿਤ ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ
– ±15% ਜਦੋਂ ≥ 500 mA – ±10% ਜਦੋਂ ≥ 1.5 A
• ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਸੰਰਚਨਾਯੋਗ ਵਿਵਹਾਰ
- ਹੋਲਡਿੰਗ ਮੋਡ
- ਵਿਵਸਥਿਤ ਦੇਰੀ ਸਮੇਂ ਦੇ ਨਾਲ ਲੈਚ-ਆਫ ਮੋਡ
- ਆਟੋ-ਮੁੜ ਕੋਸ਼ਿਸ਼ ਮੋਡ
• ਬਿਨਾਂ MCU ਦੇ ਸਟੈਂਡ-ਅਲੋਨ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦਾ ਹੈ
• ਸੁਰੱਖਿਆ:
- ਸ਼ਾਰਟ-ਟੂ-GND ਅਤੇ ਓਵਰਲੋਡ ਸੁਰੱਖਿਆ
- ਥਰਮਲ ਬੰਦ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਸਵਿੰਗ
- ਇੰਡਕਟਿਵ ਲੋਡਾਂ ਲਈ ਨੈਗੇਟਿਵ ਵੋਲਟੇਜ ਕਲੈਂਪ
- GND ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਬੈਟਰੀ ਸੁਰੱਖਿਆ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ
• ਡਾਇਗਨੌਸਟਿਕਸ:
- ਓਵਰਲੋਡ ਅਤੇ ਸ਼ਾਰਟ-ਟੂ-GND ਖੋਜ
- ਚਾਲੂ ਜਾਂ ਬੰਦ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਓਪਨ-ਲੋਡ ਅਤੇ ਸ਼ਾਰਟ-ਟੂ-ਬੈਟਰੀ ਖੋਜ
- ਥਰਮਲ ਬੰਦ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਸਵਿੰਗ
• ਸਰੀਰ ਦੀ ਰੋਸ਼ਨੀ
• ਇਨਫੋਟੇਨਮੈਂਟ ਸਿਸਟਮ
• ਐਡਵਾਂਸਡ ਡਰਾਈਵਰ ਅਸਿਸਟੈਂਸ ਸਿਸਟਮ (ADAS)
• ਸਬਮੋਡਿਊਲਾਂ ਲਈ ਸਿੰਗਲ-ਚੈਨਲ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ
• ਆਮ ਰੋਧਕ, ਪ੍ਰੇਰਕ, ਅਤੇ ਕੈਪੇਸਿਟਿਵ ਲੋਡ
