TPS1H200AQDGNRQ1 ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ ICs - ਪਾਵਰ ਡਿਸਟ੍ਰੀਬਿਊਸ਼ਨ 40-V, 200-m, 1-ch ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਸਮਾਰਟ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ ਐਡਜਸਟੇਬਲ ਕਰੰਟ ਸੀਮਾ 8-HVSSOP -40 ਤੋਂ 125 ਦੇ ਨਾਲ
♠ ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵਾ
| ਉਤਪਾਦ ਗੁਣ | ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਮੁੱਲ |
| ਨਿਰਮਾਤਾ: | ਟੈਕਸਾਸ ਇੰਸਟਰੂਮੈਂਟਸ |
| ਉਤਪਾਦ ਸ਼੍ਰੇਣੀ: | ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ ਆਈ.ਸੀ. - ਪਾਵਰ ਡਿਸਟ੍ਰੀਬਿਊਸ਼ਨ |
| RoHS: | ਵੇਰਵੇ |
| ਕਿਸਮ: | ਹਾਈ ਸਾਈਡ |
| ਆਉਟਪੁੱਟ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: | 1 ਆਉਟਪੁੱਟ |
| ਆਉਟਪੁੱਟ ਮੌਜੂਦਾ: | 2.5 ਏ |
| ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ: | 3.5 ਏ ਤੋਂ 4.8 ਏ |
| ਵਿਰੋਧ 'ਤੇ - ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ: | 400 ਐਮਓਐਮਐਸ |
| ਸਮੇਂ ਸਿਰ - ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ: | 90 ਸਾਡੇ |
| ਬੰਦ ਸਮਾਂ - ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ: | 90 ਸਾਡੇ |
| ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ: | 3.4 V ਤੋਂ 40 V |
| ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | - 40 ਸੈਂ. |
| ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | + 125 ਸੈਂ. |
| ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਸ਼ੈਲੀ: | ਐਸਐਮਡੀ/ਐਸਐਮਟੀ |
| ਪੈਕੇਜ/ਕੇਸ: | MSOP-ਪਾਵਰਪੈਡ-8 |
| ਲੜੀ: | TPS1H200A-Q1 ਲਈ ਗਾਹਕ ਸੇਵਾ |
| ਯੋਗਤਾ: | ਏਈਸੀ-ਕਿ100 |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਰੀਲ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਟੇਪ ਕੱਟੋ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਮਾਊਸਰਿੱਲ |
| ਬ੍ਰਾਂਡ: | ਟੈਕਸਾਸ ਇੰਸਟਰੂਮੈਂਟਸ |
| ਵਿਕਾਸ ਕਿੱਟ: | TPS1H200EVM ਲਈ ਖਰੀਦਦਾਰੀ |
| ਨਮੀ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ: | ਹਾਂ |
| ਉਤਪਾਦ: | ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ |
| ਉਤਪਾਦ ਕਿਸਮ: | ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ ਆਈ.ਸੀ. - ਪਾਵਰ ਡਿਸਟ੍ਰੀਬਿਊਸ਼ਨ |
| ਫੈਕਟਰੀ ਪੈਕ ਮਾਤਰਾ: | 2500 |
| ਉਪਸ਼੍ਰੇਣੀ: | ਆਈ.ਸੀ. ਬਦਲੋ |
| ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ - ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ: | 40 ਵੀ |
| ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ - ਘੱਟੋ-ਘੱਟ: | 3.4 ਵੀ |
| ਯੂਨਿਟ ਭਾਰ: | 26.400 ਮਿਲੀਗ੍ਰਾਮ |
♠ TPS1H200A-Q1 40-V 200-mΩ ਸਿੰਗਲ-ਚੈਨਲ ਸਮਾਰਟ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ
TPS1H200A-Q1 ਡਿਵਾਈਸ ਇੱਕ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਸਿੰਗਲ-ਚੈਨਲ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ 200-mΩ NMOS ਪਾਵਰ FET ਹੈ।
ਇੱਕ ਐਡਜਸਟੇਬਲ ਕਰੰਟ ਸੀਮਾ ਇਨਰਸ਼ ਜਾਂ ਓਵਰਲੋਡ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਸੀਮਤ ਕਰਕੇ ਸਿਸਟਮ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਕਰੰਟ ਸੀਮਾ ਦੀ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਓਵਰਲੋਡ ਸੁਰੱਖਿਆ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਫਰੰਟ-ਸਟੇਜ ਪਾਵਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨੂੰ ਸਰਲ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ ਕੌਂਫਿਗਰੇਬਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲਤਾ, ਲਾਗਤ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਲਚਕਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।
ਇਹ ਡਿਵਾਈਸ ਡਿਜੀਟਲ ਸਟੇਟਸ ਆਉਟਪੁੱਟ ਦੇ ਨਾਲ ਪੂਰੇ ਡਾਇਗਨੌਸਟਿਕਸ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਓਪਨ-ਲੋਡ ਡਿਟੈਕਸ਼ਨ ਚਾਲੂ ਅਤੇ ਬੰਦ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ ਉਪਲਬਧ ਹੈ। ਡਿਵਾਈਸ MCU ਦੇ ਨਾਲ ਜਾਂ ਬਿਨਾਂ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਸਟੈਂਡ-ਅਲੋਨ ਮੋਡ ਆਈਸੋਲੇਟਡ ਸਿਸਟਮਾਂ ਨੂੰ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।
• ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਯੋਗਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ
• AEC-Q100 ਹੇਠ ਲਿਖੇ ਨਤੀਜਿਆਂ ਨਾਲ ਕੁਆਲੀਫਾਈ ਕੀਤਾ:
- ਡਿਵਾਈਸ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਗ੍ਰੇਡ 1: -40°C ਤੋਂ +125°C ਅੰਬੀਨਟ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ
- ਡਿਵਾਈਸ HBM ESD ਵਰਗੀਕਰਣ ਪੱਧਰ H2
- ਡਿਵਾਈਸ CDM ESD ਵਰਗੀਕਰਣ ਪੱਧਰ C4B
• ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਸੁਰੱਖਿਆ-ਸਮਰੱਥ
- ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਸੁਰੱਖਿਆ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵਿੱਚ ਸਹਾਇਤਾ ਲਈ ਉਪਲਬਧ ਦਸਤਾਵੇਜ਼
• ਸਿੰਗਲ-ਚੈਨਲ 200-mω ਸਮਾਰਟ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ
• ਵਾਈਡ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ: 3.4 V ਤੋਂ 40 V
• ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਸਟੈਂਡਬਾਏ ਕਰੰਟ, < 500 nA
• ਬਾਹਰੀ ਰੋਧਕ ਨਾਲ ਐਡਜਸਟੇਬਲ ਕਰੰਟ ਸੀਮਾ
– ±15% ਜਦੋਂ ≥ 500 mA – ±10% ਜਦੋਂ ≥ 1.5 A
• ਮੌਜੂਦਾ ਸੀਮਾ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਸੰਰਚਨਾਯੋਗ ਵਿਵਹਾਰ
- ਹੋਲਡਿੰਗ ਮੋਡ
- ਐਡਜਸਟੇਬਲ ਦੇਰੀ ਸਮੇਂ ਦੇ ਨਾਲ ਲੈਚ-ਆਫ ਮੋਡ
- ਆਟੋ-ਰੀਟ੍ਰਾਈ ਮੋਡ
• MCU ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਸਟੈਂਡ-ਅਲੋਨ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦਾ ਹੈ
• ਸੁਰੱਖਿਆ:
- ਛੋਟੀ-ਤੋਂ-GND ਅਤੇ ਓਵਰਲੋਡ ਸੁਰੱਖਿਆ
- ਥਰਮਲ ਬੰਦ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਸਵਿੰਗ
- ਆਗਮਿਕ ਲੋਡ ਲਈ ਨੈਗੇਟਿਵ ਵੋਲਟੇਜ ਕਲੈਂਪ
- GND ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਬੈਟਰੀ ਸੁਰੱਖਿਆ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ
• ਨਿਦਾਨ:
- ਓਵਰਲੋਡ ਅਤੇ ਛੋਟਾ-ਤੋਂ-GND ਖੋਜ
- ਚਾਲੂ ਜਾਂ ਬੰਦ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਓਪਨ-ਲੋਡ ਅਤੇ ਸ਼ਾਰਟ-ਟੂ-ਬੈਟਰੀ ਖੋਜ
- ਥਰਮਲ ਬੰਦ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਸਵਿੰਗ
• ਸਰੀਰ ਦੀ ਰੋਸ਼ਨੀ
• ਇਨਫੋਟੇਨਮੈਂਟ ਸਿਸਟਮ
• ਐਡਵਾਂਸਡ ਡਰਾਈਵਰ ਅਸਿਸਟੈਂਸ ਸਿਸਟਮ (ADAS)
• ਸਬਮੌਡਿਊਲਾਂ ਲਈ ਸਿੰਗਲ-ਚੈਨਲ ਹਾਈ-ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ
• ਆਮ ਰੋਧਕ, ਆਗਮਨਕ, ਅਤੇ ਕੈਪੇਸਿਟਿਵ ਲੋਡ
