FQU2N60CTU MOSFET 600V N-ਚੈਨਲ Adv Q-FET C-ਸੀਰੀਜ਼
♠ ਉਤਪਾਦ ਵਰਣਨ
| ਉਤਪਾਦ ਗੁਣ | ਗੁਣ ਮੁੱਲ |
| ਨਿਰਮਾਤਾ: | onsemi |
| ਉਤਪਾਦ ਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFET |
| ਤਕਨਾਲੋਜੀ: | Si |
| ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਸ਼ੈਲੀ: | ਮੋਰੀ ਦੁਆਰਾ |
| ਪੈਕੇਜ / ਕੇਸ: | TO-251-3 |
| ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਪੋਲਰਿਟੀ: | ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਚੈਨਲਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: | 1 ਚੈਨਲ |
| Vds - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ: | 600 ਵੀ |
| Id - ਲਗਾਤਾਰ ਡਰੇਨ ਵਰਤਮਾਨ: | 1.9 ਏ |
| Rds On - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: | 4.7 ਓਮ |
| Vgs - ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ: | - 30 ਵੀ, + 30 ਵੀ |
| Vgs th - ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ: | 2 ਵੀ |
| Qg - ਗੇਟ ਚਾਰਜ: | 12 nC |
| ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | - 55 ਸੀ |
| ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | + 150 ਸੀ |
| Pd - ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ: | 2.5 ਡਬਲਯੂ |
| ਚੈਨਲ ਮੋਡ: | ਸੁਧਾਰ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਟਿਊਬ |
| ਬ੍ਰਾਂਡ: | ਓਨਸੈਮੀ / ਫੇਅਰਚਾਈਲਡ |
| ਸੰਰਚਨਾ: | ਸਿੰਗਲ |
| ਡਿੱਗਣ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 28 ਐਨ.ਐਸ |
| ਫਾਰਵਰਡ ਟ੍ਰਾਂਸਕੰਡਕਟੇਂਸ - ਘੱਟੋ-ਘੱਟ: | 5 ਐੱਸ |
| ਉਚਾਈ: | 6.3 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਲੰਬਾਈ: | 6.8 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਕਿਸਮ: | MOSFET |
| ਚੜ੍ਹਨ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 25 ਐਨ.ਐਸ |
| ਲੜੀ: | FQU2N60C |
| ਫੈਕਟਰੀ ਪੈਕ ਮਾਤਰਾ: | 5040 ਹੈ |
| ਉਪਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFETs |
| ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦੀ ਕਿਸਮ: | 1 ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਕਿਸਮ: | MOSFET |
| ਆਮ ਟਰਨ-ਆਫ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ: | 24 ਐਨ.ਐਸ |
| ਆਮ ਚਾਲੂ-ਚਾਲੂ ਦੇਰੀ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 9 ਐੱਨ.ਐੱਸ |
| ਚੌੜਾਈ: | 2.5 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਯੂਨਿਟ ਭਾਰ: | 0.011993 ਔਂਸ |
♠ MOSFET – N-ਚੈਨਲ, QFET 600 V, 1.9 A, 4,7
ਇਹ N−ਚੈਨਲ ਇਨਹਾਂਸਮੈਂਟ ਮੋਡ ਪਾਵਰ MOSFET ਨੂੰ ਆਨਸੇਮੀ ਦੀ ਮਲਕੀਅਤ ਪਲੈਨਰ ਸਟ੍ਰਾਈਪ ਅਤੇ DMOS ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।ਇਹ ਉੱਨਤ MOSFET ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਆਨ-ਸਟੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ, ਅਤੇ ਬਿਹਤਰ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਊਰਜਾ ਸ਼ਕਤੀ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ।ਇਹ ਯੰਤਰ ਸਵਿੱਚਡ ਮੋਡ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ, ਐਕਟਿਵ ਪਾਵਰ ਫੈਕਟਰ ਕਰੈਕਸ਼ਨ (PFC), ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਲੈਂਪ ਬੈਲਸਟ ਲਈ ਢੁਕਵੇਂ ਹਨ।
• 1.9 A, 600 V, RDS(ਆਨ) = 4.7 (ਅਧਿਕਤਮ) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A
• ਘੱਟ ਗੇਟ ਚਾਰਜ (ਕਿਸਮ 8.5 nC)
• ਘੱਟ Crss (ਕਿਸਮ. 4.3 pF)
• 100% ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ ਗਈ
• ਇਹ ਯੰਤਰ ਹੈਲੀਡ ਮੁਕਤ ਹਨ ਅਤੇ RoHS ਅਨੁਕੂਲ ਹਨ
