STD86N3LH5 MOSFET N-ਚੈਨਲ 30 V
♠ ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵਾ
| ਉਤਪਾਦ ਗੁਣ | ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਮੁੱਲ |
| ਨਿਰਮਾਤਾ: | ਐਸਟੀਮਾਈਕ੍ਰੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ |
| ਉਤਪਾਦ ਸ਼੍ਰੇਣੀ: | ਮੋਸਫੇਟ |
| RoHS: | ਵੇਰਵੇ |
| ਤਕਨਾਲੋਜੀ: | Si |
| ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਸ਼ੈਲੀ: | ਐਸਐਮਡੀ/ਐਸਐਮਟੀ |
| ਪੈਕੇਜ/ਕੇਸ: | TO-252-3 ਲਈ ਖਰੀਦਦਾਰੀ |
| ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ ਪੋਲਰਿਟੀ: | ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਚੈਨਲਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: | 1 ਚੈਨਲ |
| Vds - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬ੍ਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ: | 30 ਵੀ |
| ਆਈਡੀ - ਨਿਰੰਤਰ ਨਿਕਾਸ ਕਰੰਟ: | 80 ਏ |
| ਰੋਡ ਆਨ - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: | 5 ਐਮਓਐਮਐਸ |
| Vgs - ਗੇਟ-ਸੋਰਸ ਵੋਲਟੇਜ: | - 22 ਵੀ, + 22 ਵੀ |
| Vgs th - ਗੇਟ-ਸੋਰਸ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ: | 1 ਵੀ |
| Qg - ਗੇਟ ਚਾਰਜ: | 14 ਐਨਸੀ |
| ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | - 55 ਸੈਂ. |
| ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | + 175 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ |
| ਪੀਡੀ - ਬਿਜਲੀ ਦਾ ਨਿਕਾਸ: | 70 ਡਬਲਯੂ |
| ਚੈਨਲ ਮੋਡ: | ਸੁਧਾਰ |
| ਯੋਗਤਾ: | ਏਈਸੀ-ਕਿ1011 |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਰੀਲ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਟੇਪ ਕੱਟੋ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਮਾਊਸਰਿੱਲ |
| ਬ੍ਰਾਂਡ: | ਐਸਟੀਮਾਈਕ੍ਰੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ |
| ਸੰਰਚਨਾ: | ਸਿੰਗਲ |
| ਪਤਝੜ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 10.8 ਐਨਐਸ |
| ਕੱਦ: | 2.4 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਲੰਬਾਈ: | 6.6 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਉਤਪਾਦ ਕਿਸਮ: | ਮੋਸਫੇਟ |
| ਉੱਠਣ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 14 ਐਨ.ਐਸ. |
| ਲੜੀ: | STD86N3LH5 ਦਾ ਨਵਾਂ ਵਰਜਨ |
| ਫੈਕਟਰੀ ਪੈਕ ਮਾਤਰਾ: | 2500 |
| ਉਪਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFETs |
| ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ ਦੀ ਕਿਸਮ: | 1 ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਆਮ ਬੰਦ ਹੋਣ ਵਿੱਚ ਦੇਰੀ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 23.6 ਐਨਐਸ |
| ਆਮ ਚਾਲੂ ਹੋਣ ਵਿੱਚ ਦੇਰੀ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 6 ਐਨਐਸ |
| ਚੌੜਾਈ: | 6.2 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਯੂਨਿਟ ਭਾਰ: | 330 ਮਿਲੀਗ੍ਰਾਮ |
♠ ਇੱਕ DPAK ਪੈਕੇਜ ਵਿੱਚ ਆਟੋਮੋਟਿਵ-ਗਰੇਡ N-ਚੈਨਲ 30 V, 0.0045 Ω ਟਾਈਪ, 80 A STripFET H5 Power MOSFET
ਇਹ ਡਿਵਾਈਸ ਇੱਕ N-ਚੈਨਲ ਪਾਵਰ MOSFET ਹੈ ਜੋ STMicroelectronics ਦੀ STripFET™ H5 ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਡਿਵਾਈਸ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਔਨ-ਸਟੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਜੋ ਇੱਕ FoM ਵਿੱਚ ਯੋਗਦਾਨ ਪਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਇਸਦੀ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਵਿੱਚ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਹੈ।
• ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਅਤੇ AEC-Q101 ਯੋਗਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਹੈ
• ਘੱਟ ਔਨ-ਰੋਧਕ RDS(ਚਾਲੂ)
• ਉੱਚ ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਸਖ਼ਤਤਾ
• ਘੱਟ ਗੇਟ ਡਰਾਈਵ ਪਾਵਰ ਨੁਕਸਾਨ
• ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲਣਾ
