NTZD3154NT1G MOSFET 20V 540mA ਡੁਅਲ ਐਨ-ਚੈਨਲ w/ESD
♠ ਉਤਪਾਦ ਵਰਣਨ
| ਉਤਪਾਦ ਗੁਣ | ਗੁਣ ਮੁੱਲ |
| ਨਿਰਮਾਤਾ: | onsemi |
| ਉਤਪਾਦ ਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFET |
| ਤਕਨਾਲੋਜੀ: | Si |
| ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਸ਼ੈਲੀ: | SMD/SMT |
| ਪੈਕੇਜ / ਕੇਸ: | SOT-563-6 |
| ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਪੋਲਰਿਟੀ: | ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਚੈਨਲਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: | 2 ਚੈਨਲ |
| Vds - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ: | 20 ਵੀ |
| Id - ਲਗਾਤਾਰ ਡਰੇਨ ਵਰਤਮਾਨ: | 570 ਐਮ.ਏ |
| Rds On - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: | 550 mOhms, 550 mOhms |
| Vgs - ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ: | - 7 ਵੀ, + 7 ਵੀ |
| Vgs th - ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ: | 450 mV |
| Qg - ਗੇਟ ਚਾਰਜ: | 1.5 nC |
| ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | - 55 ਸੀ |
| ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | + 150 ਸੀ |
| Pd - ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ: | 280 ਮੈਗਾਵਾਟ |
| ਚੈਨਲ ਮੋਡ: | ਸੁਧਾਰ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਰੀਲ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਟੇਪ ਕੱਟੋ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | MouseReel |
| ਬ੍ਰਾਂਡ: | onsemi |
| ਸੰਰਚਨਾ: | ਦੋਹਰਾ |
| ਡਿੱਗਣ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 8 ਐਨਐਸ, 8 ਐਨਐਸ |
| ਫਾਰਵਰਡ ਟ੍ਰਾਂਸਕੰਡਕਟੇਂਸ - ਘੱਟੋ-ਘੱਟ: | 1 ਐੱਸ, 1 ਐੱਸ |
| ਉਚਾਈ: | 0.55 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਲੰਬਾਈ: | 1.6 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਉਤਪਾਦ: | MOSFET ਸਮਾਲ ਸਿਗਨਲ |
| ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਕਿਸਮ: | MOSFET |
| ਚੜ੍ਹਨ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 4 ਐਨ.ਐਸ., 4 ਐਨ.ਐਸ |
| ਲੜੀ: | NTZD3154N |
| ਫੈਕਟਰੀ ਪੈਕ ਮਾਤਰਾ: | 4000 |
| ਉਪਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFETs |
| ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦੀ ਕਿਸਮ: | 2 ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਆਮ ਟਰਨ-ਆਫ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ: | 16 ਐਨ.ਐਸ., 16 ਐਨ.ਐਸ |
| ਆਮ ਚਾਲੂ-ਚਾਲੂ ਦੇਰੀ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 6 ਐਨ.ਐਸ., 6 ਐਨ.ਐਸ |
| ਚੌੜਾਈ: | 1.2 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਯੂਨਿਟ ਭਾਰ: | 0.000106 ਔਂਸ |
• ਘੱਟ RDS(ਚਾਲੂ) ਸਿਸਟਮ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ
• ਘੱਟ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ
• ਛੋਟੇ ਫੁਟਪ੍ਰਿੰਟ 1.6 x 1.6 ਮਿਲੀਮੀਟਰ
• ESD ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਗੇਟ
• ਇਹ ਯੰਤਰ Pb−Free, Halogen Free/BFR ਮੁਫ਼ਤ ਹਨ ਅਤੇ RoHS ਅਨੁਕੂਲ ਹਨ
• ਲੋਡ/ਪਾਵਰ ਸਵਿੱਚ
• ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਕਨਵਰਟਰ ਸਰਕਟ
• ਬੈਟਰੀ ਪ੍ਰਬੰਧਨ
• ਸੈੱਲ ਫ਼ੋਨ, ਡਿਜੀਟਲ ਕੈਮਰੇ, PDA, ਪੇਜਰ, ਆਦਿ।
