NDS331N MOSFET N-Ch LL FET ਐਨਹਾਂਸਮੈਂਟ ਮੋਡ
♠ ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵਾ
| ਉਤਪਾਦ ਗੁਣ | ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਮੁੱਲ |
| ਨਿਰਮਾਤਾ: | ਓਨਸੇਮੀ |
| ਉਤਪਾਦ ਸ਼੍ਰੇਣੀ: | ਮੋਸਫੇਟ |
| ਤਕਨਾਲੋਜੀ: | Si |
| ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਸ਼ੈਲੀ: | ਐਸਐਮਡੀ/ਐਸਐਮਟੀ |
| ਪੈਕੇਜ / ਕੇਸ: | SOT-23-3 |
| ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ ਪੋਲਰਿਟੀ: | ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਚੈਨਲਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: | 1 ਚੈਨਲ |
| Vds - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬ੍ਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ: | 20 ਵੀ |
| ਆਈਡੀ - ਨਿਰੰਤਰ ਨਿਕਾਸ ਕਰੰਟ: | 1.3 ਏ |
| ਰੋਡ ਆਨ - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: | 210 ਐਮਓਐਮਐਸ |
| Vgs - ਗੇਟ-ਸੋਰਸ ਵੋਲਟੇਜ: | - 8 ਵੀ, + 8 ਵੀ |
| Vgs th - ਗੇਟ-ਸੋਰਸ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ: | 500 ਐਮਵੀ |
| Qg - ਗੇਟ ਚਾਰਜ: | 5 ਐਨਸੀ |
| ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | - 55 ਸੈਂ. |
| ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | + 150 ਸੈਂ. |
| ਪੀਡੀ - ਬਿਜਲੀ ਦਾ ਨਿਕਾਸ: | 500 ਮੈਗਾਵਾਟ |
| ਚੈਨਲ ਮੋਡ: | ਸੁਧਾਰ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਰੀਲ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਟੇਪ ਕੱਟੋ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਮਾਊਸਰਿੱਲ |
| ਬ੍ਰਾਂਡ: | ਓਨਸੇਮੀ / ਫੇਅਰਚਾਈਲਡ |
| ਸੰਰਚਨਾ: | ਸਿੰਗਲ |
| ਪਤਝੜ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 25 ਐਨਐਸ |
| ਕੱਦ: | 1.12 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਲੰਬਾਈ: | 2.9 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਉਤਪਾਦ: | MOSFET ਸਮਾਲ ਸਿਗਨਲ |
| ਉਤਪਾਦ ਕਿਸਮ: | ਮੋਸਫੇਟ |
| ਉੱਠਣ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 25 ਐਨਐਸ |
| ਲੜੀ: | ਐਨਡੀਐਸ331ਐਨ |
| ਫੈਕਟਰੀ ਪੈਕ ਮਾਤਰਾ: | 3000 |
| ਉਪਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFETs |
| ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ ਦੀ ਕਿਸਮ: | 1 ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਕਿਸਮ: | ਮੋਸਫੇਟ |
| ਆਮ ਬੰਦ ਹੋਣ ਵਿੱਚ ਦੇਰੀ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 10 ਐਨਐਸ |
| ਆਮ ਚਾਲੂ ਹੋਣ ਵਿੱਚ ਦੇਰੀ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 5 ਐਨਐਸ |
| ਚੌੜਾਈ: | 1.4 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਭਾਗ # ਉਪਨਾਮ: | NDS331N_NL ਵੱਲੋਂ ਹੋਰ |
| ਯੂਨਿਟ ਭਾਰ: | 0.001129 ਔਂਸ |
♠ ਐਨ-ਚੈਨਲ ਲਾਜਿਕ ਲੈਵਲ ਐਨਹਾਂਸਮੈਂਟ ਮੋਡ ਫੀਲਡ ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ
ਇਹ N-ਚੈਨਲ ਲਾਜਿਕ ਲੈਵਲ ਐਨਹਾਂਸਮੈਂਟ ਮੋਡ ਪਾਵਰ ਫੀਲਡ ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ON ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਦੀ ਮਲਕੀਅਤ, ਉੱਚ ਸੈੱਲ ਘਣਤਾ, DMOS ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਔਨ-ਸਟੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ। ਇਹ ਡਿਵਾਈਸ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨੋਟਬੁੱਕ ਕੰਪਿਊਟਰਾਂ, ਪੋਰਟੇਬਲ ਫੋਨਾਂ, PCMCIA ਕਾਰਡਾਂ, ਅਤੇ ਹੋਰ ਬੈਟਰੀ ਪਾਵਰਡ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਹਨ ਜਿੱਥੇ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਛੋਟੇ ਆਉਟਲਾਈਨ ਸਤਹ ਮਾਊਂਟ ਪੈਕੇਜ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ ਸਵਿਚਿੰਗ, ਅਤੇ ਘੱਟ ਇਨ-ਲਾਈਨ ਪਾਵਰ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
• 1.3 ਏ, 20 ਵੀ
♦ RDS(ਚਾਲੂ) = 0.21 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS(ਚਾਲੂ) = 0.16 @ VGS = 4.5 V
• ਇੰਡਸਟਰੀ ਸਟੈਂਡਰਡ ਆਉਟਲਾਈਨ SOT−23 ਸਰਫੇਸ ਮਾਊਂਟ ਪੈਕੇਜ ਦੀ ਵਰਤੋਂ
ਸੁਪੀਰੀਅਰ ਥਰਮਲ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਸਮਰੱਥਾਵਾਂ ਲਈ ਮਲਕੀਅਤ ਵਾਲਾ SUPERSOT−3 ਡਿਜ਼ਾਈਨ
• ਬਹੁਤ ਘੱਟ RDS (ਚਾਲੂ) ਲਈ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਸੈੱਲ ਡਿਜ਼ਾਈਨ
• ਬੇਮਿਸਾਲ ਚਾਲੂ-ਰੋਧ ਅਤੇ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਡੀਸੀ ਕਰੰਟ ਸਮਰੱਥਾ
• ਇਹ ਇੱਕ Pb−ਮੁਕਤ ਡਿਵਾਈਸ ਹੈ।
