FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵਾ
| ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਗੁਣ | ਬਹਾਦਰੀ ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ |
| ਨਿਰਮਾਤਾ: | ਓਨਸੇਮੀ |
| ਉਤਪਾਦ ਸ਼੍ਰੇਣੀ: | ਮੋਸਫੇਟ |
| RoHS: | ਵੇਰਵੇ |
| ਤਕਨਾਲੋਜੀ: | Si |
| ਮਾਊਂਟੇਜ ਸਟਾਈਲ: | ਐਸਐਮਡੀ/ਐਸਐਮਟੀ |
| ਪੈਕੇਟ / ਕਿਊਬੀਅਰਟਾ: | ਐਸਐਸਓਟੀ-3 |
| ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦੀ ਧਰੁਵੀਤਾ: | ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਨਹਿਰਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: | 1 ਚੈਨਲ |
| Vds - ਤਣਾਅ ਵਿੱਚ ਵਿਘਨ ਪਾਉਣਾ entre drenaje y fuente: | 30 ਵੀ |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2 ਏ |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 ਐਮਓਐਮਐਸ |
| Vgs - Tension entre puerta y fuente: | - 8 ਵੀ, + 8 ਵੀ |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 ਐਮਵੀ |
| Qg - ਪੋਰਟਾ ਦਾ ਕਾਰਗਾ: | 9 ਐਨਸੀ |
| ਤਾਪਮਾਨ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: | - 55 ਸੈਂ. |
| ਟ੍ਰੈਬਾਜੋ ਮੈਕਸਿਮਾ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: | + 150 ਸੈਂ. |
| Dp - ਸਮਰੱਥਾ ਦੇ ਵਿਕਾਸ : | 500 ਮੈਗਾਵਾਟ |
| ਮੋਡੋ ਨਹਿਰ: | ਸੁਧਾਰ |
| ਐਮਪੈਕੇਟੈਡੋ: | ਰੀਲ |
| ਐਮਪੈਕੇਟੈਡੋ: | ਟੇਪ ਕੱਟੋ |
| ਐਮਪੈਕੇਟੈਡੋ: | ਮਾਊਸਰਿੱਲ |
| ਬ੍ਰਾਂਡ: | ਓਨਸੇਮੀ / ਫੇਅਰਚਾਈਲਡ |
| ਸੰਰਚਨਾ: | ਸਿੰਗਲ |
| ਕਾਰ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 10 ਐਨਐਸ |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 ਸਕਿੰਟ |
| ਅਲਟੂਰਾ: | 1.12 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਲੰਬਕਾਰ: | 2.9 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਉਤਪਾਦ: | MOSFET ਸਮਾਲ ਸਿਗਨਲ |
| ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਕਿਸਮ: | ਮੋਸਫੇਟ |
| ਸਹਾਇਤਾ ਸਮਾਂ: | 10 ਐਨਐਸ |
| ਲੜੀ: | ਐਫਡੀਐਨ337ਐਨ |
| ਫੈਬਰਿਕ ਦੀ ਕੈਂਟਿਦਾਦ: | 3000 |
| ਉਪਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFETs |
| ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦੀ ਕਿਸਮ: | 1 ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਕਿਸਮ: | ਐਫ.ਈ.ਟੀ. |
| Tiempo de retardo de apagado tipico: | 17 ਐਨਐਸ |
| Tiempo tipico de demora de encendido: | 4 ਐਨ.ਐਸ. |
| ਦੂਜਾ: | 1.4 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਉਪਨਾਮ ਡੀ ਲਾਸ ਪਾਈਜ਼ਾਸ ਨੰਬਰ: | FDN337N_NL ਵੱਲੋਂ ਹੋਰ |
| ਪੇਸੋ ਡੀ ਲਾ ਯੂਨੀਡਾਡ: | 0.001270 ਔਂਸ |
♠ ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ - ਐਨ-ਚੈਨਲ, ਲਾਜਿਕ ਲੈਵਲ, ਐਨਹਾਂਸਮੈਂਟ ਮੋਡ ਫੀਲਡ ਇਫੈਕਟ
SUPERSOT−3 N−Channel ਲਾਜਿਕ ਲੈਵਲ ਐਨਹਾਂਸਮੈਂਟ ਮੋਡ ਪਾਵਰ ਫੀਲਡ ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਓਨਸੇਮੀ ਦੀ ਮਲਕੀਅਤ, ਉੱਚ ਸੈੱਲ ਘਣਤਾ, DMOS ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਔਨ-ਸਟੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ। ਇਹ ਡਿਵਾਈਸ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨੋਟਬੁੱਕ ਕੰਪਿਊਟਰਾਂ, ਪੋਰਟੇਬਲ ਫੋਨਾਂ, PCMCIA ਕਾਰਡਾਂ, ਅਤੇ ਹੋਰ ਬੈਟਰੀ ਪਾਵਰਡ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਹਨ ਜਿੱਥੇ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਛੋਟੇ ਆਉਟਲਾਈਨ ਸਤਹ ਮਾਊਂਟ ਪੈਕੇਜ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ ਸਵਿਚਿੰਗ, ਅਤੇ ਘੱਟ ਇਨ-ਲਾਈਨ ਪਾਵਰ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
• 2.2 ਏ, 30 ਵੀ
♦ RDS(ਚਾਲੂ) = 0.065 @ VGS = 4.5 V
♦ RDS(ਚਾਲੂ) = 0.082 @ VGS = 2.5 V
• ਇੰਡਸਟਰੀ ਸਟੈਂਡਰਡ ਆਉਟਲਾਈਨ SOT−23 ਸਰਫੇਸ ਮਾਊਂਟ ਪੈਕੇਜ ਸੁਪੀਰੀਅਰ ਥਰਮਲ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਸਮਰੱਥਾਵਾਂ ਲਈ ਮਲਕੀਅਤ SUPERSOT−3 ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ
• ਬਹੁਤ ਘੱਟ RDS (ਚਾਲੂ) ਲਈ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਸੈੱਲ ਡਿਜ਼ਾਈਨ
• ਬੇਮਿਸਾਲ ਔਨ-ਰੋਧ ਅਤੇ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਡੀਸੀ ਕਰੰਟ ਸਮਰੱਥਾ
• ਇਹ ਡਿਵਾਈਸ Pb−ਮੁਕਤ ਅਤੇ ਹੈਲੋਜਨ ਮੁਕਤ ਹੈ।
