FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ ਉਤਪਾਦ ਵਰਣਨ
| ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ | ਗੁਣ ਦੀ ਬਹਾਦਰੀ |
| ਫੈਬਰੀਕੈਂਟ: | onsemi |
| ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFET |
| RoHS: | ਵੇਰਵੇ |
| ਤਕਨਾਲੋਜੀ: | Si |
| ਮੋਨਟੇਜ ਦਾ ਅੰਦਾਜ਼: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| ਪੋਲਰੀਡਾਡ ਡੈਲ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ: | ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਨਹਿਰਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: | 1 ਚੈਨਲ |
| Vds - ਤਣਾਅ ਵਿੱਚ ਵਿਘਨ ਪਾਉਣਾ entre drenaje y fuente: | 30 ਵੀ |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2 ਏ |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 mOhms |
| Vgs - Tension entre puerta y fuente: | - 8 ਵੀ, + 8 ਵੀ |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| ਤਾਪਮਾਨ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: | - 55 ਸੀ |
| ਟ੍ਰੈਬਾਜੋ ਮੈਕਸਿਮਾ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: | + 150 ਸੀ |
| Dp - ਸਮਰੱਥਾ ਦੇ ਵਿਕਾਸ : | 500 ਮੈਗਾਵਾਟ |
| ਮੋਡੋ ਨਹਿਰ: | ਸੁਧਾਰ |
| Empaquetado: | ਰੀਲ |
| Empaquetado: | ਟੇਪ ਕੱਟੋ |
| Empaquetado: | MouseReel |
| ਮਾਰਕਾ: | ਓਨਸੈਮੀ / ਫੇਅਰਚਾਈਲਡ |
| ਸੰਰਚਨਾ: | ਸਿੰਗਲ |
| ਟਾਇਮਪੋ ਡੀ ਕੈਡਾ: | 10 ਐਨ.ਐਸ |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 ਐੱਸ |
| ਅਲਟੁਰਾ: | 1.12 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਲੰਬਕਾਰ: | 2.9 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਉਤਪਾਦ: | MOSFET ਸਮਾਲ ਸਿਗਨਲ |
| ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਸੁਝਾਅ: | MOSFET |
| ਸਬਸਿਡੀ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 10 ਐਨ.ਐਸ |
| ਲੜੀ: | FDN337N |
| ਫੈਬਰਿਕ ਦੀ ਕੈਂਟਿਦਾਦ: | 3000 |
| ਉਪਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFETs |
| ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦਾ ਟਿਪੋ: | 1 ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਟਿਪੋ: | FET |
| Tiempo de retardo de apagado tipico: | 17 ਐਨ.ਐਸ |
| Tiempo tipico de demora de encendido: | 4 ਐਨ.ਐਸ |
| ਐਂਕੋ: | 1.4 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਉਪਨਾਮ ਦੇ ਲਾਸ ਪੀਜ਼ਾਸ n.º: | FDN337N_NL |
| ਪੇਸੋ ਡੇ ਲਾ ਯੂਨੀਦਾਦ: | 0.001270 ਔਂਸ |
♠ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ - ਐਨ-ਚੈਨਲ, ਤਰਕ ਪੱਧਰ, ਐਨਹਾਂਸਮੈਂਟ ਮੋਡ ਫੀਲਡ ਪ੍ਰਭਾਵ
SUPERSOT−3 N−Channel logic level enhancement mode power field effect transistors onsemi ਦੀ ਮਲਕੀਅਤ, ਉੱਚ ਸੈੱਲ ਘਣਤਾ, DMOS ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।ਇਹ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤੌਰ 'ਤੇ ਰਾਜ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ।ਇਹ ਯੰਤਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨੋਟਬੁੱਕ ਕੰਪਿਊਟਰਾਂ, ਪੋਰਟੇਬਲ ਫ਼ੋਨਾਂ, PCMCIA ਕਾਰਡਾਂ, ਅਤੇ ਹੋਰ ਬੈਟਰੀ ਸੰਚਾਲਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਹਨ ਜਿੱਥੇ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਛੋਟੀ ਆਉਟਲਾਈਨ ਸਤਹ ਮਾਊਂਟ ਪੈਕੇਜ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ ਸਵਿਚਿੰਗ, ਅਤੇ ਘੱਟ ਇਨ-ਲਾਈਨ ਪਾਵਰ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
• 2.2 ਏ, 30 ਵੀ
♦ RDS(ਆਨ) = 0.065 @ VGS = 4.5 V
♦ RDS(ਆਨ) = 0.082 @ VGS = 2.5 V
• ਉਦਯੋਗ ਸਟੈਂਡਰਡ ਆਉਟਲਾਈਨ SOT−23 ਸਰਫੇਸ ਮਾਊਂਟ ਪੈਕੇਜ ਮਲਕੀਅਤ ਸੁਪਰਸੋਟ-3 ਸੁਪੀਰੀਅਰ ਥਰਮਲ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਸਮਰੱਥਾਵਾਂ ਲਈ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ।
• ਬਹੁਤ ਘੱਟ RDS (ਚਾਲੂ) ਲਈ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਸੈੱਲ ਡਿਜ਼ਾਈਨ
• ਅਸਧਾਰਨ ਆਨ–ਰੋਧ ਅਤੇ ਅਧਿਕਤਮ DC ਮੌਜੂਦਾ ਸਮਰੱਥਾ
• ਇਹ ਡਿਵਾਈਸ Pb−ਫ੍ਰੀ ਅਤੇ ਹੈਲੋਜਨ ਮੁਕਤ ਹੈ
