BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH ਲਾਜਿਕ
♠ ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵਾ
| ਉਤਪਾਦ ਗੁਣ | ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਮੁੱਲ |
| ਨਿਰਮਾਤਾ: | ਓਨਸੇਮੀ |
| ਉਤਪਾਦ ਸ਼੍ਰੇਣੀ: | ਮੋਸਫੇਟ |
| ਤਕਨਾਲੋਜੀ: | Si |
| ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਸ਼ੈਲੀ: | ਐਸਐਮਡੀ/ਐਸਐਮਟੀ |
| ਪੈਕੇਜ / ਕੇਸ: | SOT-23-3 |
| ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ ਪੋਲਰਿਟੀ: | ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਚੈਨਲਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ: | 1 ਚੈਨਲ |
| Vds - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬ੍ਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ: | 100 ਵੀ |
| ਆਈਡੀ - ਨਿਰੰਤਰ ਨਿਕਾਸ ਕਰੰਟ: | 170 ਐਮ.ਏ. |
| ਰੋਡ ਆਨ - ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: | 6 ਓਮ |
| Vgs - ਗੇਟ-ਸੋਰਸ ਵੋਲਟੇਜ: | - 20 ਵੀ, + 20 ਵੀ |
| Vgs th - ਗੇਟ-ਸੋਰਸ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ: | 800 ਐਮਵੀ |
| Qg - ਗੇਟ ਚਾਰਜ: | 2.5 ਐਨਸੀ |
| ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | - 55 ਸੈਂ. |
| ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ: | + 150 ਸੈਂ. |
| ਪੀਡੀ - ਬਿਜਲੀ ਦਾ ਨਿਕਾਸ: | 300 ਮੈਗਾਵਾਟ |
| ਚੈਨਲ ਮੋਡ: | ਸੁਧਾਰ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਰੀਲ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਟੇਪ ਕੱਟੋ |
| ਪੈਕੇਜਿੰਗ: | ਮਾਊਸਰਿੱਲ |
| ਬ੍ਰਾਂਡ: | ਓਨਸੇਮੀ / ਫੇਅਰਚਾਈਲਡ |
| ਸੰਰਚਨਾ: | ਸਿੰਗਲ |
| ਪਤਝੜ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 9 ਐਨ.ਐਸ. |
| ਅੱਗੇ ਟ੍ਰਾਂਸਕੰਡਕਟੈਂਸ - ਘੱਟੋ-ਘੱਟ: | 0.8 ਸਕਿੰਟ |
| ਕੱਦ: | 1.2 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਲੰਬਾਈ: | 2.9 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਉਤਪਾਦ: | MOSFET ਸਮਾਲ ਸਿਗਨਲ |
| ਉਤਪਾਦ ਕਿਸਮ: | ਮੋਸਫੇਟ |
| ਉੱਠਣ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 9 ਐਨ.ਐਸ. |
| ਲੜੀ: | ਬੀਐਸਐਸ 123 |
| ਫੈਕਟਰੀ ਪੈਕ ਮਾਤਰਾ: | 3000 |
| ਉਪਸ਼੍ਰੇਣੀ: | MOSFETs |
| ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ ਦੀ ਕਿਸਮ: | 1 ਐਨ-ਚੈਨਲ |
| ਕਿਸਮ: | ਐਫ.ਈ.ਟੀ. |
| ਆਮ ਬੰਦ ਹੋਣ ਵਿੱਚ ਦੇਰੀ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 17 ਐਨਐਸ |
| ਆਮ ਚਾਲੂ ਹੋਣ ਵਿੱਚ ਦੇਰੀ ਦਾ ਸਮਾਂ: | 1.7 ਐਨਐਸ |
| ਚੌੜਾਈ: | 1.3 ਮਿਲੀਮੀਟਰ |
| ਭਾਗ # ਉਪਨਾਮ: | BSS123_NL ਵੱਲੋਂ ਹੋਰ |
| ਯੂਨਿਟ ਭਾਰ: | 0.000282 ਔਂਸ |
♠ ਐਨ-ਚੈਨਲ ਲਾਜਿਕ ਲੈਵਲ ਐਨਹਾਂਸਮੈਂਟ ਮੋਡ ਫੀਲਡ ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜਿਸਟਰ
ਇਹ N-ਚੈਨਲ ਐਨਹਾਂਸਮੈਂਟ ਮੋਡ ਫੀਲਡ ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਓਨਸੇਮੀ ਦੀ ਮਲਕੀਅਤ, ਉੱਚ ਸੈੱਲ ਘਣਤਾ, DMOS ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਇਹਨਾਂ ਉਤਪਾਦਾਂ ਨੂੰ ਔਨ-ਸਟੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਘੱਟ ਤੋਂ ਘੱਟ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਜਦੋਂ ਕਿ ਮਜ਼ਬੂਤ, ਭਰੋਸੇਮੰਦ ਅਤੇ ਤੇਜ਼ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਉਤਪਾਦ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ, ਘੱਟ ਕਰੰਟ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਛੋਟੇ ਸਰਵੋ ਮੋਟਰ ਕੰਟਰੋਲ, ਪਾਵਰ MOSFET ਗੇਟ ਡਰਾਈਵਰਾਂ, ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਹਨ।
• 0.17 ਏ, 100 ਵੀ
♦ RDS(ਚਾਲੂ) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS(ਚਾਲੂ) = 10 @ VGS = 4.5 V
• ਬਹੁਤ ਘੱਟ RDS (ਚਾਲੂ) ਲਈ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਸੈੱਲ ਡਿਜ਼ਾਈਨ
• ਮਜ਼ਬੂਤ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਮੰਦ
• ਸੰਖੇਪ ਇੰਡਸਟਰੀ ਸਟੈਂਡਰਡ SOT−23 ਸਰਫੇਸ ਮਾਊਂਟ ਪੈਕੇਜ
• ਇਹ ਡਿਵਾਈਸ Pb−ਮੁਕਤ ਅਤੇ ਹੈਲੋਜਨ ਮੁਕਤ ਹੈ।
